为了使膜厚均匀性的设计应用到实际生产中,以及提高靶材利用
率、薄膜沉积速率和工艺过程的稳定性,必须对镀膜设备进行综合性设
计。其中,靶的设计为关键也为复杂。靶设计不仅需要考虑靶面电
磁场分布,工作、反应气体分布,西藏金属镀膜设备,薄膜沉积速率以及靶材的刻蚀均匀性
和利用率,同时还要考虑真空条件下的气体放电,材料的导电、导热、
冷却、电磁屏蔽、热屏蔽、真空绝缘和密封等诸多工程实际因素,而电
磁场分布以及由以上诸因素决定的等离子体特性又是靶设计中为重要
的部分。因此,金属镀膜设备价格,建立溅射镀膜综合设计系统是势在必行的。
在镀膜过程中为了提高薄膜的性能,常常需要对基片进行加热。但
是基片的加热温度应该根据不同薄膜的具体要求和制备工艺来确定,避
免过高或过低。如果基片的温度太高,蒸镀材料的蒸气分子就*在基
体上运动或再被蒸发,因而基片温度高的话,就要求凝结分子的临界蒸
气压也要高,这就导致了薄膜形成大颗粒结晶,这对成膜和膜的质量都
是不利的。但是另一方面,在较高的基片温度下,吸附在基片表面的剩
余大气分子将被解吸出来,金属镀膜设备设计,从而增加基片与沉积分子之间的结合力。高
温还会促使物理吸附向化学吸附转化,增加分子之间的相互作用,这就
给增加膜的附着力使膜的结构致密、提高机械强度创造了条件。另外由
于基体温度高,可以减小蒸气分子再结晶温度与基片温度之间的差别,
因而可以减少或消除膜层之间的内应力。